P5810

Solidigm P5810 – SSD para escrita intensiva

A Solidigm apresentou recentemente o D7-P5810 no evento Tech Storage Field Day, concebido para cargas de trabalho de alta resistência e intensivas em escrita extrema. Construído com base na comprovada tecnologia NAND 3D de células de nível único (SLC) de 144 camadas da empresa, este disco PCIe Gen4 destaca-se no processamento de tarefas que envolvem muita escrita, como armazenamento em cache, computação de alto desempenho (HPC) e registo.

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A Solidigm refere que a utilização do software de modelagem de escrita, como a Cloud Storage Acceleration Layer (CSAL), contribui para uma maior extensão do valor total de propriedade (TCO), densidade e sustentabilidade das células Quad-Level Cell (QLC) em várias cargas de trabalho. O D7-P5810 desempenha o papel de acelerador de armazenamento ideal para camadas de capacidade de alta densidade, como as baseadas em SSDs QLC. Além disso, ao utilizar o D7-P5810 baseado em SLC para dados sensíveis ao desempenho, como metadados ou registos, é possível obter um significativo aumento de desempenho no sistema, conforme afirmado pela Solidigm.

Este disco foi lançado em duas opções de capacidade – 800GB e 1.6TB – e promete uma resistência de 50 DWPD ao longo de um período de cinco anos. As especificações técnicas indicam um consumo máximo de energia de cerca de 12 watts e um consumo de energia em repouso de menos de 5 watts. O SSD também se destaca em termos de confiabilidade, com uma taxa de Tempo Médio Entre Falhas (MTBF) de 2 milhões de horas e uma taxa de Erro de Bit Irrecuperável (UBER) de menos de um setor por 10^17 bits lidos.

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A nova unidade Solidigm também apresenta especificações de desempenho sólidas. Ela alcança uma taxa de até 865.000 IOPS para leituras aleatórias de 4K com uma profundidade de fila de 256, e 495.000 IOPS para escritas aleatórias de 4K com a mesma profundidade de fila. No que diz respeito a leituras e escritas sequenciais, a unidade é capaz de atingir velocidades de 6.400MB/s e 4.000MB/s, respetivamente, com uma profundidade de fila de 128. Além disso, a unidade promete uma latência ultra baixa, com leituras sequenciais de 4KB com QD1 a demorar apenas 10ms e escritas sequenciais de 4KB (com QD1) a demorar 13ms. Para leituras e escritas aleatórias de 4KB com QD1, a latência é de 53ms e 15ms, respetivamente.

Esses números de desempenho sugerem que o D7-P5810 pode oferecer benefícios significativos de velocidade para operações que exigem acesso e gravação de dados rápidos. Isso pode ser particularmente benéfico para aplicações altamente orientadas para escrita, como negociações de alta frequência, computação em nuvem e registro de metadados. Tais níveis de desempenho podem resultar em tempos de resposta mais rápidos e maior throughput.

Embora as alegações da Solidigm sugiram uma impressionante combinação de desempenho, confiabilidade e eficiência de custos. À medida que as organizações dependem cada vez mais de aplicativos intensivos em dados, as características promissoras do drive certamente o tornam um candidato em potencial para atender às rigorosas demandas dos modernos datacenters.

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